PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。
Power Mosfet 功率MOSFET
功能特点
产品名称:Power Mosfet 功率MOSFET
产品型号:PJP830
产品参数:
Voltage Range电压范围:>100
Channel通道:N
Drain-Source Voltage漏源极电压:VDSS:500V
Gate-Source Voltage栅源极电压最大值:VGSS:30+V
Drain Current漏极电流:ID:4.5A
Maximum Power Dissipation最大功耗:PD:87W
Static Drain-Source On-Resistance: Vgs=10V,Rdson (max.):1.5Ω
Gate Charge门电荷: Vgs=10V,Qg:18.6nC
Input Capacitance输入电容: Vds=25V,Ciss:560pF
Reverse Transfer Capacitance反向传输电容: Vds=25V,Crss:8.2pF
Package封装:TO-220AB
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | 强茂(PANJIT) |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | _compli |
雪崩能效等级(Eas) | 310 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.5 A |
最大漏源导通电阻 | 1.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 18 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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