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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> S4GBL80-C
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S4GBL80-C

产品描述Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小184KB，共2页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
标准
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S4GBL80-C概述

Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM),

S4GBL80-C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SECOS
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.05 V
JESD-30 代码R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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S4GBL20-C ~ S4GBL80-C
Elektronische Bauelemente
Voltage 200V ~ 800V
4.0 Amp Glass Passivited Bridge Rectifiers
RoHS Compliant Product
FEATURES
Ideal for printed circuit board
Low forward voltage drop, high current capability
Reliable low cost construction utilizing molded plastic
technique results in inexpensive product
These are Halogen & Pb Free components
This series is UL recognized under Component Index,
file number E255340
GBL
REF.
A
B
C
D
E
Millimeter
Min.
Max.
19.6
20.6
10.7
11.3
2.3
2.7
12.7
14.2
1.3
1.7
REF.
F
G
H
I
J
Millimeter
Min.
Max.
0.9
1.15
3.3
3.7
4.8
5.3
0.8
1.2
0.3
0.6
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, de-rate current by 20%.)
Part Number
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current @50H
Z
sine
wave, R-load, T
A
=25°C
Peak Forward Surge Current @
50H
Z
sine wave, 1 cycle, T
A
=150°C
Maximum Peak Forward Voltage
2
Peak Reverse Current
1
Symbol
S4GBL20-C
S4GBL40-C
S4GBL60-C
S4GBL80-C
Unit
200
400
4
150
1.05
5
93
47
10
150, -40~150
600
800
V
A
A
V
μA
A
2
s
°C/W
°C/W
°C
V
RRM
I
O
I
FSM
V
FM
I
RRM
I
2
t
R
θJA
R
θJL
T
J
,T
STG
I
2
t Rating for Fusing @1ms≤t＜8.3ms,
T
J
=25°C,Rating of per diode
Typical Thermal Resistance(without heat sink)
Typical Thermal Resistance(without heat sink)
Operating and Storage temperature range
Notes：
1. V
RM
=V
RRM
, Pulse measurement, Rating of per diode.
2. I
FM
=2A, Pulse measurement, Rating of per diode
http://www.SeCoSGmbH.com/
Any changes of specification will not be informed individually.
25-Apr-2013 Rev. B
Page 1 of 2

S4GBL80-C相似产品对比

S4GBL80-C S4GBL20-C S4GBL40-C S4GBL60-C
描述 Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 4A, 200V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 4A, 400V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 4A, 600V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SECOS SECOS SECOS SECOS
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.05 V 1.05 V 1.05 V 1.05 V
JESD-30 代码 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A 150 A
元件数量 4 4 4 4
相数 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 4 A 4 A 4 A 4 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
最大重复峰值反向电压 800 V 200 V 400 V 600 V
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
Base Number Matches - 1 1 1

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