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V53C808HK50

产品描述EDO DRAM, 1MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
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文件大小135KB,共18页
制造商Mosel Vitelic Corporation ( MVC )
官网地址http://www.moselvitelic.com
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V53C808HK50概述

EDO DRAM, 1MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

V53C808HK50规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mosel Vitelic Corporation ( MVC )
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ28,.44
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J28
长度18.42 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度3.688 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

V53C808HK50相似产品对比

V53C808HK50 V53C808HK40 V53C808HK35 V53C808HK45
描述 EDO DRAM, 1MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 EDO DRAM, 1MX8, 40ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 EDO DRAM, 1MX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 EDO DRAM, 1MX8, 45ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
厂商名称 Mosel Vitelic Corporation ( MVC ) Mosel Vitelic Corporation ( MVC ) Mosel Vitelic Corporation ( MVC ) Mosel Vitelic Corporation ( MVC )
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ28,.44
针数 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns 40 ns 35 ns 45 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28
长度 18.42 mm 18.42 mm 18.42 mm 18.42 mm
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ28,.44 SOJ28,.44 SOJ28,.44 SOJ28,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 3.688 mm 3.688 mm 3.688 mm 3.688 mm
自我刷新 NO NO NO NO
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.135 mA 0.15 mA 0.16 mA 0.145 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
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