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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CAT24M01WE-GT3
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CAT24M01WE-GT3

产品描述128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小201KB，共1页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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CAT24M01WE-GT3概述

128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

128K × 8 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

CAT24M01WE-GT3规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconduc
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
制造商包装代码751BD
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDMR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE

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Product Overview
CAT24M01: EEPROM Serial 1-Mb I
2
C
For complete documentation, see the data sheet.
The CAT24M01 is a EEPROM Serial 1-Mb I C, internally organized as 131,072 words of 8 bits each.
It features a 256-byte page write buffer and supports the Standard (100 kHz), Fast (400 kHz) and Fast-Plus (1 MHz) I2C protocol.
Write operations can be inhibited by taking the WP pin High (this protects the entire memory).
External address pins make it possible to address up to four CAT24M01 devices on the same bus.
On-Chip ECC (Error Correction Code) makes the device suitable for high reliability applications.
2
Features
• Supports Standard, Fast and Fast-Plus I C Protocol
• 1.8 V to 5.5 V Supply Voltage Range
• 256-Byte Page Write Buffer
• Hardware Write Protection for Entire Memory
2
• Schmitt Triggers and Noise Suppression Filters on I C Bus
Inputs (SCL and SDA)
• Low Power CMOS Technology
• 1,000,000 Program/Erase Cycles
• 100 Year Data Retention
• Industrial and Extended Temperature Range
• 8-pin PDIP, SOIC, TSSOP and 8pad UDFN Packages
For more features, see the data sheet
2
Benefits
• Simple interface protocol / industry standard; 1MHz clock
enables faster operation.
• Single power supply from 1.8V to 5.5V: allows multiple
applications / various VCC values using the same device.
Part Electrical Specifications
Product
Compliance
Status
Type
Densit
y
Organi Data
zation Trans
missio
n
Stand
ard
128k x
8
128k x
8
128k x
8
128k x
8
128k x
8
128k x
8
I2C
f
cycle
Max
(kHz)
t
ACC
Max
ns
V
CC
Min
(V)
V
CC
Max
(V)
I
standby
Max
(µA)
I
act
Max
(mA)
T Min
(°C)
T Max
(°C)
Packa
ge
Type
CAT24M01HU5I-GT3
Pb-free
Halide free
Active
Serial
1 Mb
1000
400
1.8
5.5
2
1
-40
85
UDFN-
8
SOIC-
8
SOIC-
8
SOIC-
8
TSSO
P-8
TSSO
P-8
CAT24M01WE-GT3
Pb-free
Halide free
Active
Serial
1 Mb
I2C
400
900
2.5
5.5
5
1
-40
125
CAT24M01WI-GT3
Pb-free
Halide free
Active
Serial
1 Mb
I2C
1000
400
1.8
5.5
2
1
-40
80
CAT24M01XI-T2
Pb-free
Halide free
Active
Serial
1 Mb
I2C
1000
400
1.8
5.5
2
1
-40
80
CAT24M01YE-GT3
Pb-free
Halide free
Active
Serial
1 Mb
I2C
400
900
2.5
5.5
5
1
-40
125
CAT24M01YI-GT3
Pb-free
Halide free
Active
Serial
1 Mb
I2C
1000
400
1.8
5.5
2
1
-40
85
For more information please contact your local sales support at www.onsemi.com.
Created on: 12/2/2018

CAT24M01WE-GT3相似产品对比

CAT24M01WE-GT3 CAT24M01LE-G CAT24M01XE-T2 CAT24M01YE-GT3
描述 128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 128K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SOIC DIP SOIC TSSOP
包装说明 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3 0.208 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOIC-8 TSSOP, TSSOP8,.25
针数 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz
数据保留时间-最小值 100 100 100 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDMR 1010DDMR 1010DDMR 1010DDMR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4 e3 e4
长度 4.9 mm 9.27 mm 5.255 mm 4.4 mm
内存密度 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP SOP TSSOP
封装等效代码 SOP8,.25 DIP8,.3 SOP8,.3 TSSOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度（摄氏度） 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 5.33 mm 2.03 mm 1.2 mm
串行总线类型 SPI SPI SPI SPI
最大待机电流 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A
最大压摆率 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) NICKEL PALLADIUM GOLD MATTE TIN Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm 7.62 mm 5.23 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) -

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