16 X 16 NON-VOLATILE SRAM, 375 ns, PDSO8
16 × 16 非易失性存储器, 375 ns, PDSO8
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 375 ns |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 4.9 mm |
内存密度 | 256 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 16 words |
字数代码 | 16 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 16X16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 3.9 mm |
Base Number Matches | 1 |
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