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UPD424101GS-70

产品描述Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
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文件大小382KB,共16页
制造商NEC(日电)
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UPD424101GS-70概述

Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

UPD424101GS-70规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
Reach Compliance Codeunknown
访问模式NIBBLE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G20
长度17.14 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NIBBLE MODE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm

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