IS43DR16160A-37CBI,IS43DR16160A-37CBI pdf中文资料,IS43DR16160A-37CBI引脚图,IS43DR16160A-37CBI电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS43DR16160A-37CBI

IS43DR16160A-37CBI: 产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共48页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

下载文档详细参数选型对比全文预览

IS43DR16160A-37CBI概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84

IS43DR16160A-37CBI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84
针数	84
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	267 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
JESD-609代码	e0
长度	12.5 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm

IS43DR16160A-37CBI相似产品对比

	IS43DR16160A-37CBI	IS43DR83200A-5BBLI	IS43DR83200A-25EBLI	IS43DR83200A-25EBLI-TR
描述	DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84	DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-60	DDR DRAM, 32MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-60	DDR DRAM, 32MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	0.5 ns	0.6 ns	0.4 ns	0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	267 MHz	200 MHz	400 MHz	400 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	8	8	8
端子数量	84	60	60	60
字数	16777216 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	16000000	32000000	32000000	32000000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	16MX16	32MX8	32MX8	32MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	FBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A
最大压摆率	0.27 mA	0.265 mA	0.385 mA	0.385 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
是否无铅	含铅	不含铅	不含铅	-
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	-
包装说明	8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	-
针数	84	60	60	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-
JESD-609代码	e0	e1	e1	-
长度	12.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	-
功能数量	1	1	1	-
端口数量	1	1	1	-
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260	-
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-
自我刷新	YES	YES	YES	-
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	-
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40	40	-
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	-

推荐资源

【设计工具】VHDL语言详解: ...; 8fu8 FPGA/CPLD

杭州NSN招聘 RF研发人员: 大家好，我是Austin，一个人才咨询顾问，我们公司是NSN的长期合作伙伴杭州是NSN的全球研发中心，现在NSN在杭州新建RF team，急聘 RF研发人员，所以只要您对杭州工作有兴趣，在基站或直放站等相关RF研发经验2年以上，英文口语average以上就可以申请职位要求如下：B.Sc or M.Sc, 2years+ of practical experience in BTS RF Desig...; austinwang 求职招聘

希望坛友出本有关TM4C123g的好书: [i=s] 本帖最后由平湖秋月于 2014-6-13 09:04 编辑 [/i]昨天我看到市面上已经有了TM4C123G的书，不过讲得很粗略，甚至直接把手册中的英文抄过来，粗粗翻了一下，的确不敢恭维，看与不看没有什么区别，基本上没有任何内容，那些实例也很可怜。现在学习TI M4的人比较多，呵呵，那位坛友能出版一本有关TM4C123G的书，让大家借鉴一下。我正在筹划开家淘宝店，把本人对TM4C1...; 平湖秋月微控制器 MCU

求教：430自身的电压检测: 我需要对430自身的供电电源电压进行检测，当电源供电电压下降时进行处理，不知道具体方案如何选择，请大家帮帮初学者。谢谢。...; forhelp 微控制器 MCU

一个电脑白痴和黑客的对话！: 黑客：我控制了你的电脑小白：怎么控制的？黑客：用木马小白：。。。。。。在哪里？我没看不见黑客：打开你的任务管理器小白：。。。。。。。任务管理器在哪？黑客：。。。。。你的电脑下面！！小白：“我的电脑”里面没有啊黑客：算了，当我什么也没做过黑客：我已经控制了你的电脑小白：哦黑客：害怕了吧？！嘿嘿小白：来的正好，帮我杀杀毒吧，最近我的机子毛病很多耶黑客：。。。。。。小白：你怎么总是在我电脑里随便进进出出...; maker 聊聊、笑笑、闹闹

Modelsim仿真Lattice 只有GSR PUR信号: 用modusim仿真Lattice的ip核 dis_rom只有两个信号不明白啊`timescale 1 ns / 1 ps`include "disrom.v"module disrom_tb;reg [5:0] Address;reg OutClock;reg OutClockEn;reg Reset;wire [7:0] Q;GSR GSR_INST (.GSR(1'b1));PUR PUR...; yagesi104 EE_FPGA学习乐园

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多