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IS43DR83200A-25EBLI-TR: 产品描述DDR DRAM, 32MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共48页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS43DR83200A-25EBLI-TR概述

DDR DRAM, 32MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60

IS43DR83200A-25EBLI-TR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
端子数量	60
字数	33554432 words
字数代码	32000000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装等效代码	BGA60,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	0.385 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM

IS43DR83200A-25EBLI-TR相似产品对比

	IS43DR83200A-25EBLI-TR	IS43DR83200A-5BBLI	IS43DR83200A-25EBLI	IS43DR16160A-37CBI
描述	DDR DRAM, 32MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60	DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-60	DDR DRAM, 32MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-60	DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84
是否Rohs认证	符合	符合	符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	unknown
最长访问时间	0.4 ns	0.6 ns	0.4 ns	0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz	200 MHz	400 MHz	267 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	8	8	16
端子数量	60	60	60	84
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	16777216 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	16000000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	32MX8	32MX8	32MX8	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A
最大压摆率	0.385 mA	0.265 mA	0.385 mA	0.27 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
是否无铅	-	不含铅	不含铅	含铅
零件包装代码	-	BGA	BGA	BGA
包装说明	-	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84
针数	-	60	60	84
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-609代码	-	e1	e1	e0
长度	-	10.5 mm	10.5 mm	12.5 mm
功能数量	-	1	1	1
端口数量	-	1	1	1
工作模式	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	260	NOT SPECIFIED
座面最大高度	-	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	-	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	-	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	-	1.7 V	1.7 V	1.7 V
端子面层	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	-	40	40	NOT SPECIFIED
宽度	-	8 mm	8 mm	8 mm

IS43DR83200A-25EBLI-TR

IS43DR83200A-25EBLI-TR概述

IS43DR83200A-25EBLI-TR规格参数

IS43DR83200A-25EBLI-TR相似产品对比

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