IDT71T75612S200PF,IDT71T75612S200PF pdf中文资料,IDT71T75612S200PF引脚图,IDT71T75612S200PF电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT71T75612S200PF

IDT71T75612S200PF: 产品描述ZBT SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小361KB，共23页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

下载文档详细参数选型对比全文预览

IDT71T75612S200PF概述

ZBT SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

IDT71T75612S200PF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP,
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm

IDT71T75612S200PF相似产品对比

	IDT71T75612S200PF	IDT71T75812S166PF	IDT71T75612S166BG	IDT71T75612S200BG	IDT71T75812S200PF	IDT71T75812S200BG	IDT71T75612S166PF
描述	ZBT SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QFP	QFP	BGA	BGA	QFP	BGA	QFP
包装说明	LQFP,	LQFP,	BGA,	BGA,	LQFP,	BGA,	LQFP,
针数	100	100	119	119	100	119	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3 ns	3.5 ns	3.5 ns	3 ns	3 ns	3 ns	3.5 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	20 mm	22 mm	22 mm	20 mm	22 mm	20 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	36	18	36	36	18	18	36
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	119	119	100	119	100
字数	524288 words	1048576 words	524288 words	524288 words	1048576 words	1048576 words	524288 words
字数代码	512000	1000000	512000	512000	1000000	1000000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX36	1MX18	512KX36	512KX36	1MX18	1MX18	512KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	BGA	BGA	LQFP	BGA	LQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	225	225	240	225	240
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	2.36 mm	2.36 mm	1.6 mm	2.36 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Base Number Matches	-	1	1	1	1	-	-

IDT71T75612S200PF

IDT71T75612S200PF概述

IDT71T75612S200PF规格参数

IDT71T75612S200PF相似产品对比

推荐资源