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IDT71T75812S200BG

产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
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文件大小361KB,共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71T75812S200BG概述

ZBT SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

IDT71T75812S200BG规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.36 mm
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm

IDT71T75812S200BG相似产品对比

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描述 ZBT SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 ZBT SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 ZBT SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 ZBT SRAM, 1MX18, 3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA QFP BGA BGA QFP QFP QFP
包装说明 BGA, LQFP, BGA, BGA, LQFP, LQFP, LQFP,
针数 119 100 119 119 100 100 100
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 3 ns 3.5 ns 3.5 ns 3 ns 3 ns 3.5 ns 3 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 22 mm 20 mm 22 mm 22 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 18 18 36 36 18 36 36
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 119 100 119 119 100 100 100
字数 1048576 words 1048576 words 524288 words 524288 words 1048576 words 524288 words 524288 words
字数代码 1000000 1000000 512000 512000 1000000 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX18 1MX18 512KX36 512KX36 1MX18 512KX36 512KX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA LQFP BGA BGA LQFP LQFP LQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 240 225 225 240 240 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.36 mm 1.6 mm 2.36 mm 2.36 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V
最小供电电压 (Vsup) 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL GULL WING BALL BALL GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 BOTTOM QUAD BOTTOM BOTTOM QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20 20 20 20
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Base Number Matches - 1 1 1 1 - -
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