VP1008LA: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA, TO-226AA (TO-92), 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小130KB，共4页; 制造商TEMIC; 官网地址http://www.temic.de/

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VP1008LA概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA, TO-226AA (TO-92), 3 PIN

VP1008LA规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	TEMIC
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code	unknown
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	0.28 A
最大漏源导通电阻	5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	25 pF
JEDEC-95代码	TO-226AA
JESD-30 代码	O-PBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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VP1008LA相似产品对比

	VP1008LA	VP1008B-2	VP0808LTR	VP0808L-18	VP1008LR	VP1008L-18	VP0808B-1	VP0808B-2
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA, TO-226AA (TO-92), 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, TO-205AD,	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA, TO-226AA (TO-92), 3 PIN	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA, TO-226AA (TO-92), 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, TO-205AD,	Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, TO-205AD,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码	TO-226AA	TO-205AD	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-205AD	TO-205AD
JESD-30 代码	O-PBCY-W3	O-MBCY-W3	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	METAL	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	TEMIC	-	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC
最小漏源击穿电压	100 V	-	80 V	80 V	100 V	100 V	-	-
最大漏极电流 (ID)	0.28 A	-	0.28 A	0.28 A	0.28 A	0.28 A	-	-
最大漏源导通电阻	5 Ω	-	5 Ω	5 Ω	5 Ω	5 Ω	-	-
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-
最大反馈电容 (Crss)	25 pF	-	25 pF	25 pF	25 pF	25 pF	-	-
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	-
极性/信道类型	P-CHANNEL	-	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	-	-

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