Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MR754(Z)

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MR754(Z): 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小49KB，共2页; 制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd; 标准

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MR754(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN

MR754(Z)规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	400 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	6 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	400 V
最大反向电流	10 µA
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

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FEATURES

GALAXY ELECTRICAL

MR750(Z)---M R760(Z)

VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V

CURRENT: 6.0 A

PLASTIC SILICON RECTIFIER

Low cost

Diffused junction

Low leakage

Low forward voltage drop

High current capability

Easily cleaned witn Freon,Alcohol,lsopropanol

and similar solvents

The plastic material carries U/L recognition 94V-0

R-6

MECHANICAL DATA

Case:JEDEC R-6,molded plastic

Terminals: Axial lead ,solderable per

MIL- STD-202,Method 208

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.072 ounces,2.04 grams

Mounting position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25

ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.

750

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forw ard rectified current

9.5mm lead length,

=75

751

100

752

200

140

200

754

400

280

400

6.0

756

600

420

600

758

800

560

800

760

1000

700

1000

UNITS

RRM

RMS

F(AV)

Peak forw ard surge current

8.3ms single half-sine-w ave

superimposed on rated load

=125

FSM

400.0

Maximum instantaneous forw ard voltage

@ 6.0 A

Maximum reverse current

at rated DC blocking voltage

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

=25

=100

(Note1)

(Note2)

STG

1.0

10.0

100.0

120

- 55 ---- + 150

／Ｗ

Operating junction temperature range

Storage temperature range

2. Thermal resistance f rom junction to ambient.

NOTE: 1. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.

www.galaxycn.com

Document Number 0260027

GALAXY ELECTRICAL

MR754(Z)相似产品对比

	MR754(Z)	MR758(Z)	HVPS2E2104AUF	MR750(Z)	MR752(Z)	MR756(Z)	MR751(Z)
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN	RESISTOR, THIN FILM, 0.25W, 0.05%, 25ppm, 2100000ohm, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2	RADIAL LEADED	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
端子数量	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	125 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装形状	ROUND	ROUND	RECTANGULAR PACKAGE	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
厂商名称	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd	-	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd	Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	-	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	-	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	-	1 V	1 V	1 V	1 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	-	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	400 A	400 A	-	400 A	400 A	400 A	400 A
元件数量	1	1	-	1	1	1	1
相数	1	1	-	1	1	1	1
最大输出电流	6 A	6 A	-	6 A	6 A	6 A	6 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	-	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	400 V	800 V	-	50 V	200 V	600 V	100 V
最大反向电流	10 µA	10 µA	-	10 µA	10 µA	10 µA	10 µA
端子形式	WIRE	WIRE	-	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	-	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL

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