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MR758(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN
产品类别二极管    整流二极管   
文件大小49KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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MR758(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN

MR758(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
MR750(Z)---M R760(Z)
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 6.0 A
PLASTIC SILICON RECTIFIER
Low cost
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned witn Freon,Alcohol,lsopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
R-6
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC R-6,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.072 ounces,2.04 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
MR
750
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
MR
751
100
70
100
MR
752
200
140
200
MR
754
400
280
400
6.0
MR
756
600
420
600
MR
758
800
560
800
MR
760
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
400.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 6.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note1)
(Note2)
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
1.0
10.0
100.0
120
10
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
A
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
2. Thermal resistance f rom junction to ambient.
NOTE: 1. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
www.galaxycn.com
Document Number 0260027
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

MR758(Z)相似产品对比

MR758(Z) HVPS2E2104AUF MR750(Z) MR754(Z) MR752(Z) MR756(Z) MR751(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN RESISTOR, THIN FILM, 0.25W, 0.05%, 25ppm, 2100000ohm, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 O-PALF-W2 RADIAL LEADED O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 125 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装形状 ROUND RECTANGULAR PACKAGE ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd - Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
应用 GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V - 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 400 A - 400 A 400 A 400 A 400 A 400 A
元件数量 1 - 1 1 1 1 1
相数 1 - 1 1 1 1 1
最大输出电流 6 A - 6 A 6 A 6 A 6 A 6 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形式 LONG FORM - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 800 V - 50 V 400 V 200 V 600 V 100 V
最大反向电流 10 µA - 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
端子形式 WIRE - WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
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