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KM428C256Z-10

产品描述Video DRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40
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文件大小1MB,共32页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM428C256Z-10概述

Video DRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40

KM428C256Z-10规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码ZIP
包装说明ZIP, ZIP40,.1
针数40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 8 SAM PORT
JESD-30 代码R-PZIP-T40
JESD-609代码e0
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型VIDEO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP40,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度12.07 mm
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2.96 mm

KM428C256Z-10相似产品对比

KM428C256Z-10 KM428C256J-10 KM428C256T-10 KM428C256Z-8 KM428C256Z-6
描述 Video DRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40 Video DRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 Video DRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40 Video DRAM, 256KX8, 80ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40 Video DRAM, 256KX8, 60ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 ZIP SOJ TSOP2 ZIP ZIP
包装说明 ZIP, ZIP40,.1 SOJ, SOJ40,.44 TSOP2, TSOP40/44,.46,32 ZIP, ZIP40,.1 ZIP, ZIP40,.1
针数 40 40 44 40 40
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 100 ns 100 ns 100 ns 80 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 8 SAM PORT RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 8 SAM PORT RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 8 SAM PORT RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 8 SAM PORT RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 8 SAM PORT
JESD-30 代码 R-PZIP-T40 R-PDSO-J40 R-PDSO-G40 R-PZIP-T40 R-PZIP-T40
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 VIDEO DRAM VIDEO DRAM VIDEO DRAM VIDEO DRAM VIDEO DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2 2
端子数量 40 40 40 40 40
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 ZIP SOJ TSOP2 ZIP ZIP
封装等效代码 ZIP40,.1 SOJ40,.44 TSOP40/44,.46,32 ZIP40,.1 ZIP40,.1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512
座面最大高度 12.07 mm 3.76 mm 1.2 mm 12.07 mm 12.07 mm
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最大压摆率 0.14 mA 0.14 mA 0.14 mA 0.15 mA 0.16 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 0.8 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 ZIG-ZAG DUAL DUAL ZIG-ZAG ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 2.96 mm 10.16 mm 10.16 mm 2.96 mm 2.96 mm
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