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IDT71V35761S200BQG

产品描述Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, GREEN, FBGA-165
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文件大小824KB,共21页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71V35761S200BQG概述

Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, GREEN, FBGA-165

IDT71V35761S200BQG规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明TBGA,
针数165
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3.1 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量165
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度13 mm

IDT71V35761S200BQG相似产品对比

IDT71V35761S200BQG IDT71V35761YS166PF IDT71V35761YSA166BQ IDT71V35761YSA183BQ IDT71V35761YSA200BQ IDT71V35761S166BQ8 IDT71V35761YS200PF
描述 Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, GREEN, FBGA-165 Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 BGA QFP BGA BGA BGA BGA QFP
包装说明 TBGA, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165 TBGA, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
针数 165 100 165 165 165 165 100
Reach Compliance Code unknown not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant unknown not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 3.1 ns 3.5 ns 3.5 ns 3.3 ns 3.1 ns 3.5 ns 3.1 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PQFP-G100 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e1 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 15 mm 20 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 20 mm
内存密度 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 36 36 36 36 36 36 36
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 165 100 165 165 165 165 100
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TBGA LQFP TBGA TBGA TBGA TBGA LQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.6 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN SILVER COPPER Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) TIN LEAD Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 BALL GULL WING BALL BALL BALL BALL GULL WING
端子节距 1 mm 0.65 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 0.65 mm
端子位置 BOTTOM QUAD BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM QUAD
宽度 13 mm 14 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 14 mm
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合
最大时钟频率 (fCLK) - 166 MHz 166 MHz 183 MHz 200 MHz - 200 MHz
I/O 类型 - COMMON COMMON COMMON COMMON - COMMON
湿度敏感等级 - 3 3 3 3 - 3
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装等效代码 - QFP100,.63X.87 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 - QFP100,.63X.87
峰值回流温度(摄氏度) - 240 225 225 225 - 240
电源 - 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V - 3.3 V
最大待机电流 - 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A - 0.03 A
最小待机电流 - 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V - 3.14 V
最大压摆率 - 0.32 mA 0.32 mA 0.34 mA 0.36 mA - 0.36 mA
处于峰值回流温度下的最长时间 - 20 20 20 20 - 20
Base Number Matches - 1 1 1 1 1 -
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