IDT71V35761YSA183BQ,IDT71V35761YSA183BQ pdf中文资料,IDT71V35761YSA183BQ引脚图,IDT71V35761YSA183BQ电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT71V35761YSA183BQ: 产品描述Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小824KB，共21页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71V35761YSA183BQ概述

Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

IDT71V35761YSA183BQ规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	FBGA-165
针数	165
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.3 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	183 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.34 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

IDT71V35761YSA183BQ相似产品对比

	IDT71V35761YSA183BQ	IDT71V35761YS166PF	IDT71V35761YSA166BQ	IDT71V35761YSA200BQ	IDT71V35761S166BQ8	IDT71V35761YS200PF	IDT71V35761S200BQG
描述	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, GREEN, FBGA-165
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA	QFP	BGA	BGA	BGA	QFP	BGA
包装说明	FBGA-165	14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	FBGA-165	FBGA-165	TBGA,	14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	TBGA,
针数	165	100	165	165	165	100	165
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	unknown	not_compliant	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.3 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.1 ns	3.5 ns	3.1 ns	3.1 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PQFP-G100	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PQFP-G100	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e1
长度	15 mm	20 mm	15 mm	15 mm	15 mm	20 mm	15 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	100	165	165	165	100	165
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	LQFP	TBGA	TBGA	TBGA	LQFP	TBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.6 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.6 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn85Pb15)	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	BALL	BALL	GULL WING	BALL
端子节距	1 mm	0.65 mm	1 mm	1 mm	1 mm	0.65 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	BOTTOM
宽度	13 mm	14 mm	13 mm	13 mm	13 mm	14 mm	13 mm
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	-	不符合	-
最大时钟频率 (fCLK)	183 MHz	166 MHz	166 MHz	200 MHz	-	200 MHz	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	-
湿度敏感等级	3	3	3	3	-	3	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	-
封装等效代码	BGA165,11X15,40	QFP100,.63X.87	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	-	QFP100,.63X.87	-
峰值回流温度（摄氏度）	225	240	225	225	-	240	-
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	-
最大待机电流	0.03 A	0.03 A	0.03 A	0.03 A	-	0.03 A	-
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	-	3.14 V	-
最大压摆率	0.34 mA	0.32 mA	0.32 mA	0.36 mA	-	0.36 mA	-
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	-	20	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-

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