DUAL COMPARATOR, 7000uV OFFSET-MAX, 650ns RESPONSE TIME, CDIP8, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | COMPARATOR |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.002 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.002 µA |
| 最大输入失调电压 | 7000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| 长度 | 9.6 mm |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出类型 | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 标称响应时间 | 650 ns |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 0.4 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| TLC352IJG | TLC352CJG | TLC352MFK | TLC352MJG | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | DUAL COMPARATOR, 7000uV OFFSET-MAX, 650ns RESPONSE TIME, CDIP8, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8 | DUAL COMPARATOR, 6500uV OFFSET-MAX, 650ns RESPONSE TIME, CDIP8, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8 | DUAL COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 650ns RESPONSE TIME, CQCC20, CC-20 | DUAL COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 650ns RESPONSE TIME, CDIP8, CERAMIC, DIP-8 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | QLCC | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | DIP, DIP8,.3 | QCCN, LCC20,.35SQ | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 | 8 | 20 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | COMPARATOR | COMPARATOR | COMPARATOR | COMPARATOR |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.002 µA | 0.0006 µA | 0.02 µA | 0.02 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.002 µA | 0.0006 µA | 0.02 µA | 0.02 µA |
| 最大输入失调电压 | 7000 µV | 6500 µV | 10000 µV | 10000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | R-GDIP-T8 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T8 |
| 长度 | 9.6 mm | 9.6 mm | 8.89 mm | 9.6 mm |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 20 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -55 °C | -55 °C |
| 输出类型 | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | QCCN | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | DIP8,.3 | LCC20,.35SQ | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称响应时间 | 650 ns | 650 ns | 650 ns | 650 ns |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 2.03 mm | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 0.4 mA | 0.4 mA | 0.4 mA | 0.4 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 8.89 mm | 7.62 mm |
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