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TLC352MJG

产品描述DUAL COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 650ns RESPONSE TIME, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小874KB,共16页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

TLC352MJG概述

DUAL COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 650ns RESPONSE TIME, CDIP8, CERAMIC, DIP-8

TLC352MJG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
放大器类型COMPARATOR
最大平均偏置电流 (IIB)0.02 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.02 µA
最大输入失调电压10000 µV
JESD-30 代码R-GDIP-T8
长度9.6 mm
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出类型OPEN-DRAIN
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称响应时间650 ns
座面最大高度5.08 mm
最大压摆率0.4 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

TLC352MJG相似产品对比

TLC352MJG TLC352CJG TLC352MFK TLC352IJG
描述 DUAL COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 650ns RESPONSE TIME, CDIP8, CERAMIC, DIP-8 DUAL COMPARATOR, 6500uV OFFSET-MAX, 650ns RESPONSE TIME, CDIP8, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8 DUAL COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 650ns RESPONSE TIME, CQCC20, CC-20 DUAL COMPARATOR, 7000uV OFFSET-MAX, 650ns RESPONSE TIME, CDIP8, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-8
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP DIP QLCC DIP
包装说明 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 QCCN, LCC20,.35SQ DIP, DIP8,.3
针数 8 8 20 8
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 COMPARATOR COMPARATOR COMPARATOR COMPARATOR
最大平均偏置电流 (IIB) 0.02 µA 0.0006 µA 0.02 µA 0.002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.02 µA 0.0006 µA 0.02 µA 0.002 µA
最大输入失调电压 10000 µV 6500 µV 10000 µV 7000 µV
JESD-30 代码 R-GDIP-T8 R-GDIP-T8 S-CQCC-N20 R-GDIP-T8
长度 9.6 mm 9.6 mm 8.89 mm 9.6 mm
功能数量 2 2 2 2
端子数量 8 8 20 8
最高工作温度 125 °C 70 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -40 °C
输出类型 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP QCCN DIP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 LCC20,.35SQ DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称响应时间 650 ns 650 ns 650 ns 650 ns
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 2.03 mm 5.08 mm
最大压摆率 0.4 mA 0.4 mA 0.4 mA 0.4 mA
供电电压上限 18 V 18 V 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL MILITARY INDUSTRIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 8.89 mm 7.62 mm
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