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IDT7MP6144S10M

产品描述Cache SRAM Module, 256KX8, BICMOS
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文件大小129KB,共4页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MP6144S10M概述

Cache SRAM Module, 256KX8, BICMOS

IDT7MP6144S10M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
JESD-30 代码R-XDMA-N136
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM MODULE
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量136
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX8
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BICMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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