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K6F8008V2M-FF550: 产品描述Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小200KB，共10页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K6F8008V2M-FF550概述

Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

K6F8008V2M-FF550规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
长度	12 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	48
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

K6F8008V2M-FF550相似产品对比

	K6F8008V2M-FF550	K6F8008V2M-RF550	K6F8008V2M-RF700	K6F8008V2M-TF550	K6F8008V2M-TF700	K6F8008V2M-FF700
描述	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	BGA
包装说明	TFBGA,	TSOP2-R,	TSOP2-R,	TSOP2,	TSOP2,	TFBGA,
针数	48	44	44	44	44	48
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns	55 ns	70 ns	55 ns	70 ns	70 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48
长度	12 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	12 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	48	44	44	44	44	48
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TSOP2-R	TSOP2-R	TSOP2	TSOP2	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL
端子节距	0.75 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM
宽度	8 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	8 mm
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

K6F8008V2M-FF550

K6F8008V2M-FF550概述

K6F8008V2M-FF550规格参数

K6F8008V2M-FF550相似产品对比

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