K6F8008V2M-TF550,K6F8008V2M-TF550 pdf中文资料,K6F8008V2M-TF550引脚图,K6F8008V2M-TF550电路-Datasheet-电子工程世界

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K6F8008V2M-TF550: 产品描述Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44; 产品类别存储存储; 文件大小200KB，共10页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K6F8008V2M-TF550概述

Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

K6F8008V2M-TF550规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2,
针数	44
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
长度	18.41 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	44
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

K6F8008V2M-TF550相似产品对比

	K6F8008V2M-TF550	K6F8008V2M-RF550	K6F8008V2M-RF700	K6F8008V2M-TF700	K6F8008V2M-FF700	K6F8008V2M-FF550
描述	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PBGA48, 8 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	BGA	BGA
包装说明	TSOP2,	TSOP2-R,	TSOP2-R,	TSOP2,	TFBGA,	TFBGA,
针数	44	44	44	44	48	48
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns	55 ns	70 ns	70 ns	70 ns	55 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
长度	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	12 mm	12 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	44	44	44	44	48	48
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2-R	TSOP2-R	TSOP2	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM	BOTTOM
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	8 mm	8 mm
厂商名称	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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