EDJ2108BCSE-AE-F,EDJ2108BCSE-AE-F pdf中文资料,EDJ2108BCSE-AE-F引脚图,EDJ2108BCSE-AE-F电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> EDJ2108BCSE-AE-F

EDJ2108BCSE-AE-F: 产品描述DDR DRAM, 256MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78,; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共148页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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EDJ2108BCSE-AE-F概述

DDR DRAM, 256MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78,

EDJ2108BCSE-AE-F规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
包装说明	FBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	0.3 ns
最大时钟频率 (fCLK)	533 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B78
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
端子数量	78
字数	268435456 words
字数代码	256000000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	256MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装等效代码	BGA78,9X13,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	1.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.015 A
最大压摆率	0.235 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM

EDJ2108BCSE-AE-F相似产品对比

	EDJ2108BCSE-AE-F	EDJ2108BCSE-DJ-F	EDJ2108BCSE-8C-F
描述	DDR DRAM, 256MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78,	DDR DRAM, 256MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78	DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA78,
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
包装说明	FBGA, BGA78,9X13,32	FBGA, BGA78,9X13,32	FBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant
最长访问时间	0.3 ns	0.255 ns	0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	533 MHz	667 MHz	400 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	8	8
端子数量	78	78	78
字数	268435456 words	268435456 words	268435456 words
字数代码	256000000	256000000	256000000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
组织	256MX8	256MX8	256MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	FBGA	FBGA
封装等效代码	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	1.5 V	1.5 V	1.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192
连续突发长度	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.015 A	0.015 A	0.015 A
最大压摆率	0.235 mA	0.25 mA	0.23 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	1.5 V	1.5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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