DDR DRAM, 256MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 包装说明 | FBGA, BGA78,9X13,32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 0.255 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 667 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B78 |
| 内存密度 | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 78 |
| 字数 | 268435456 words |
| 字数代码 | 256000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA |
| 封装等效代码 | BGA78,9X13,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源 | 1.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 连续突发长度 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.015 A |
| 最大压摆率 | 0.25 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| EDJ2108BCSE-DJ-F | EDJ2108BCSE-AE-F | EDJ2108BCSE-8C-F | |
|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM, 256MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78 | DDR DRAM, 256MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78, | DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA78, |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology |
| 包装说明 | FBGA, BGA78,9X13,32 | FBGA, BGA78,9X13,32 | FBGA, BGA78,9X13,32 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant | compliant |
| 最长访问时间 | 0.255 ns | 0.3 ns | 0.4 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 667 MHz | 533 MHz | 400 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B78 | R-PBGA-B78 | R-PBGA-B78 |
| 内存密度 | 2147483648 bit | 2147483648 bit | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 78 | 78 | 78 |
| 字数 | 268435456 words | 268435456 words | 268435456 words |
| 字数代码 | 256000000 | 256000000 | 256000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 组织 | 256MX8 | 256MX8 | 256MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA | FBGA | FBGA |
| 封装等效代码 | BGA78,9X13,32 | BGA78,9X13,32 | BGA78,9X13,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源 | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 | 8192 | 8192 |
| 连续突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.015 A | 0.015 A | 0.015 A |
| 最大压摆率 | 0.25 mA | 0.235 mA | 0.23 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
