K7D161871M-HC33,K7D161871M-HC33 pdf中文资料,K7D161871M-HC33引脚图,K7D161871M-HC33电路-Datasheet-电子工程世界

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K7D161871M-HC33: 产品描述DDR SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153; 产品类别存储存储; 文件大小257KB，共14页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K7D161871M-HC33概述

DDR SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153

K7D161871M-HC33规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA153,9X17,50
针数	153
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	1.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B153
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	153
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA153,9X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.55 mm
最大待机电流	0.15 A
最小待机电流	2.37 V
最大压摆率	0.7 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

K7D161871M-HC33相似产品对比

	K7D161871M-HC33	K7D161871M-HC30	K7D161871M-HC40	K7D163671M-HC30	K7D163671M-HC33	K7D163671M-HC37	K7D163671M-HC40	K7D161871M-HC37
描述	DDR SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 1MX18, 1.9ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 1MX18, 1.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 512KX36, 1.9ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 512KX36, 1.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153	DDR SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50	BGA, BGA153,9X17,50
针数	153	153	153	153	153	153	153	153
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	1.7 ns	1.9 ns	1.6 ns	1.9 ns	1.7 ns	1.7 ns	1.6 ns	1.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz	303 MHz	400 MHz	303 MHz	333 MHz	370 MHz	400 MHz	370 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153	R-PBGA-B153
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM
内存宽度	18	18	18	36	36	36	36	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	153	153	153	153	153	153	153	153
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	512000	512000	512000	512000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX18	1MX18	1MX18	512KX36	512KX36	512KX36	512KX36	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50	BGA153,9X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V	1.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm	2.55 mm
最小待机电流	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
最大压摆率	0.7 mA	0.62 mA	0.9 mA	0.67 mA	0.75 mA	0.85 mA	0.95 mA	0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

K7D161871M-HC33

K7D161871M-HC33概述

K7D161871M-HC33规格参数

K7D161871M-HC33相似产品对比

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