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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K7D163671M-HC37
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K7D163671M-HC37

产品描述DDR SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153
产品类别存储    存储   
文件大小257KB，共14页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7D163671M-HC37概述

DDR SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153

K7D163671M-HC37规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA153,9X17,50
针数153
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间1.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)370 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B153
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量153
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA153,9X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源1.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.55 mm
最小待机电流2.37 V
最大压摆率0.85 mA
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

K7D163671M-HC37相似产品对比

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描述 DDR SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153 DDR SRAM, 1MX18, 1.9ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153 DDR SRAM, 1MX18, 1.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153 DDR SRAM, 512KX36, 1.9ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153 DDR SRAM, 512KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153 DDR SRAM, 512KX36, 1.6ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153 DDR SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153 DDR SRAM, 1MX18, 1.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FLIP CHIP, BGA-153
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50 BGA, BGA153,9X17,50
针数 153 153 153 153 153 153 153 153
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 1.7 ns 1.9 ns 1.6 ns 1.9 ns 1.7 ns 1.6 ns 1.7 ns 1.7 ns
最大时钟频率 (fCLK) 370 MHz 303 MHz 400 MHz 303 MHz 333 MHz 400 MHz 333 MHz 370 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM
内存宽度 36 18 18 36 36 36 18 18
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 153 153 153 153 153 153 153 153
字数 524288 words 1048576 words 1048576 words 524288 words 524288 words 524288 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 512000 1000000 1000000 512000 512000 512000 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 512KX36 1MX18 1MX18 512KX36 512KX36 512KX36 1MX18 1MX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50 BGA153,9X17,50
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 1.5,2.5 V 1.5,2.5 V 1.5,2.5 V 1.5,2.5 V 1.5,2.5 V 1.5,2.5 V 1.5,2.5 V 1.5,2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.55 mm 2.55 mm 2.55 mm 2.55 mm 2.55 mm 2.55 mm 2.55 mm 2.55 mm
最小待机电流 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V
最大压摆率 0.85 mA 0.62 mA 0.9 mA 0.67 mA 0.75 mA 0.95 mA 0.7 mA 0.8 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)

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