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HB52E329E1-B6A

产品描述Synchronous DRAM Module, 32MX8, 6.9ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168
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文件大小620KB,共64页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB52E329E1-B6A概述

Synchronous DRAM Module, 32MX8, 6.9ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168

HB52E329E1-B6A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间6.9 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
长度133.37 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织32MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度38.1 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.564 A
最大压摆率2.49 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度4 mm

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HB52E329E1-A6A/B6A
256 MB Registered SDRAM DIMM
32-Mword
×
72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module
(9 pcs of 32 M
×
8 Components)
PC100 SDRAM
ADE-203-950 (Z)
Preliminary, Rev.0.0
Sept. 18, 1998
Description
The HB52E329E1 belongs to 8-byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and have been
developed as an optimized main memory solution for 8-byte processor applications. The HB52E329E1 is a
32M
×
72
×
1-bank Synchronous Dynamic RAM Module, mounted 9 pieces of 256-Mbit SDRAM
(HM5225805A-A6/B6) sealed in TSOP package, 2 pieces of register driver (ALVC162835), a piece of
PLL clock driver (CDC2509A) and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for Presence Detect
(PD). An outline of the HB52E329E1 is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the
HB52E329E1 makes high density mounting possible without surface mount technology. The
HB52E329E1 provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each
TSOP on the module board.
Features
Fully compatible with : JEDEC standard outline registered 8-byte DIMM
: Intel PCB Reference design (Rev.1.0)
168-pin socket type package (dual lead out)
Outline: 133.37 mm (Length)
×
38.1 mm (Height)
×
4.00 mm (Thickness)
Lead pitch: 1.27 mm
3.3 V power supply
Clock frequency: 100 MHz (max)
LVTTL interface
Data bus width:
×
72 ECC
Single pulsed
RAS
4 Banks can operates simultaneously and independently
Burst read/write operation and burst read/single write operation capability
Programmable burst length: 1/2/4/8/full page
2 variations of burst sequence
Sequential (BL = 1/2/4/8/full page)
Interleave (BL = 1/2/4/8)

HB52E329E1-B6A相似产品对比

HB52E329E1-B6A HB52E329E1-A6A
描述 Synchronous DRAM Module, 32MX8, 6.9ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 32MX8, 6.9ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 6.9 ns 6.9 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
长度 133.37 mm 133.37 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 55 °C 55 °C
组织 32MX8 32MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
座面最大高度 38.1 mm 38.1 mm
自我刷新 YES YES
最大待机电流 0.564 A 0.564 A
最大压摆率 2.49 mA 2.49 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 4 mm 4 mm
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