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K6R3024V1D-HC090

产品描述SRAM Module, 128KX24, 9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
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文件大小173KB,共9页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K6R3024V1D-HC090概述

SRAM Module, 128KX24, 9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

K6R3024V1D-HC090规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间9 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B119
长度22 mm
内存密度3145728 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度24
功能数量1
端子数量119
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX24
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm

K6R3024V1D-HC090相似产品对比

K6R3024V1D-HC090 K6R3024V1D-HI090 K6R3024V1D-HC100 K6R3024V1D-HI100 K6R3024V1D-HI120 K6R3024V1D-HC120
描述 SRAM Module, 128KX24, 9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 SRAM Module, 128KX24, 9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 SRAM Module, 128KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 SRAM Module, 128KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 SRAM Module, 128KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 SRAM Module, 128KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, 14 X 22 MM, BGA-119 BGA, BGA, BGA, BGA,
针数 119 119 119 119 119 119
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 9 ns 9 ns 10 ns 10 ns 12 ns 12 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
长度 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm
内存密度 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 24 24 24 24 24 24
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 119 119 119 119 119 119
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C
组织 128KX24 128KX24 128KX24 128KX24 128KX24 128KX24
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
厂商名称 SAMSUNG(三星) - - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
Base Number Matches - 1 1 1 1 -

 
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