K6R3024V1D-HC100,K6R3024V1D-HC100 pdf中文资料,K6R3024V1D-HC100引脚图,K6R3024V1D-HC100电路-Datasheet-电子工程世界

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K6R3024V1D-HC100: 产品描述SRAM Module, 128KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小173KB，共9页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K6R3024V1D-HC100概述

SRAM Module, 128KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

K6R3024V1D-HC100规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	119
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
长度	22 mm
内存密度	3145728 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	24
功能数量	1
端子数量	119
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX24
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

K6R3024V1D-HC100相似产品对比

	K6R3024V1D-HC100	K6R3024V1D-HI090	K6R3024V1D-HI100	K6R3024V1D-HI120	K6R3024V1D-HC120	K6R3024V1D-HC090
描述	SRAM Module, 128KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	SRAM Module, 128KX24, 9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	SRAM Module, 128KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	SRAM Module, 128KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	SRAM Module, 128KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	SRAM Module, 128KX24, 9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA,	14 X 22 MM, BGA-119	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,
针数	119	119	119	119	119	119
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns	9 ns	10 ns	12 ns	12 ns	9 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	3145728 bit	3145728 bit	3145728 bit	3145728 bit	3145728 bit	3145728 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	24	24	24	24	24	24
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	119	119	119	119
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX24	128KX24	128KX24	128KX24	128KX24	128KX24
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-
厂商名称	-	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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