Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT5C6404C-25/883C

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MT5C6404C-25/883C: 产品描述Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22; 产品类别存储存储; 文件大小330KB，共10页; 制造商Micross; 官网地址https://www.micross.com

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MT5C6404C-25/883C概述

Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22

MT5C6404C-25/883C规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Micross
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP22,.3
针数	22
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T22
长度	29.337 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	22
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX4
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class C
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.005 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

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SRAM

Austin Semiconductor, Inc.

16K x 4 SRAM

SRAM MEMORY ARRAY

MT5C6404

PIN ASSIGNMENT

(Top View)

22-Pin DIP (C)

(300 MIL)

A10

A11

A12

A13

CE\

Vss

Vcc

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

WE\

AVAILABLE AS MILITARY

SPECIFICATIONS

•

SMD 5962-86859

SMD 5962-89692

MIL-STD-883

FEATURES

• Speeds: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, and 70ns

• Battery Backup: 2V data retention

• High-performance, low-power CMOS double-metal

process

• Single +5V (+10%) Power Supply

• Easy memory expansion with CE\

• All inputs and outputs are TTL compatible

GENERAL DESCRIPTION

The Austin Semiconductor SRAM family employs

high-speed, low-power CMOS designs using a four-transistor

memory cell. Austin Semiconductor SRAMs are fabricated

using double-layer metal, double-layer polysilicon

technology.

For flexibility in high-speed memory applications, Austin

Semiconductor offers chip enable (CE\) on all organizations.

This enhancement can place the outputs in High-Z for

additional flexibility in system design.

Writing to these devices is accomplished when write

enable (WE\) and CE\ inputs are both LOW. Reading is

accomplished when WE\ remains HIGH and CE\ goes LOW.

The device offers a reduced power standby mode when

disabled. This allows system designs to achieve low standby

power requirements.

All devices operate from a single +5V power supply and

all inputs and outputs are fully TTL compatible.

OPTIONS

• Timing

12ns access

15ns access

20ns access

25ns access

35ns access

45ns access

55ns access

70ns access

• Package(s)

Ceramic DIP (300 mil)

MARKING

-12

-15

-20

-25

-35

-45*

-55*

-70*

No. 105

• Operating Temperature Ranges

Industrial (-40

C to +85

Military (-55 C to +125 C)

• 2V data retention/low power

*Electrical characteristics identical to those provided for the 35ns

access devices.

For more products and information

please visit our web site at

www.austinsemiconductor.com

MT5C6404

Rev. 1.1 06/05

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

MT5C6404C-25/883C相似产品对比

	MT5C6404C-25/883C	MT5C6404C-35/883C	MT5C6404C-12/883C	MT5C6404C-15/883C	MT5C6404C-55/883C	MT5C6404C-20/883C	MT5C6404C-45/883C	MT5C6404C-70/883C
描述	Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 12ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 15ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 16KX4, 70ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22
厂商名称	Micross	Micross	Micross	Micross	Micross	Micross	Micross	Micross
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3
针数	22	22	22	22	22	22	22	22
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns	35 ns	12 ns	15 ns	55 ns	20 ns	45 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22	R-CDIP-T22
长度	29.337 mm	29.337 mm	29.337 mm	29.337 mm	29.337 mm	29.337 mm	29.337 mm	29.337 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bi	65536 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	22	22	22	22	22	22	22	22
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class C	MIL-STD-883 Class C	MIL-STD-883 Class C	MIL-STD-883 Class C	MIL-STD-883 Class C	MIL-STD-883 Class C	MIL-STD-883 Class C	MIL-STD-883 Class C
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.1 mA	0.09 mA	0.14 mA	0.125 mA	0.09 mA	0.11 mA	0.09 mA	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

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