datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MB81F643242B-70LFN
PDF数据手册
文档预览

MB81F643242B-70LFN

产品描述2MX32 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
产品类别存储    存储   
文件大小867KB，共46页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MB81F643242B-70LFN概述

2MX32 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86

MB81F643242B-70LFN规格参数

参数名称属性值
Objectid1491416331
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数86
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G86
长度22.22 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量86
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

文档预览

下载PDF文档
To Top / Lineup / Index
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS05-11051-1E
MEMORY
CMOS
4
×
512 K
×
32 BIT
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F643242B
-70/-80/-10/-70L/-80L/-10L/-70LL/-80LL/-10LL
CMOS 4-Bank
×
524,288-Word
×
32 Bit
Synchronous Dynamic Random Access Memory
s
DESCRIPTION
The Fujitsu MB81F643242B is a CMOS Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) containing
67,108,864 memory cells accessible in a 32-bit format. The MB81F643242B features a fully synchronous
operation referenced to a positive edge clock whereby all operations are synchronized at a clock input which
enables high performance and simple user interface coexistence. The MB81F643242B SDRAM is designed to
reduce the complexity of using a standard dynamic RAM (DRAM) which requires many control signal timing
constraints, and may improve data bandwidth of memory as much as 5 times more than a standard DRAM.
The MB81F643242B is ideally suited for workstations, personal computers, laser printers, high resolution graphic
adapters/accelerators and other applications where an extremely large memory and bandwidth are required and
where a simple interface is needed.
s
PRODUCT LINE & FEATURES
Parameter
CL - t
RCD
- t
RP
Clock Frequency
Burst Mode Cycle Time
Access Time from Clock
CL = 2
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
CL = 3
Reference
Value@ 67 MHz,
-70/-70L/-70LL
-80/-80L/-80LL
-10/-10L/-10LL
CL=3
2 - 2 - 2 clk min.
2 - 2 - 2 clk min.
2 - 2 - 2 clk min.
2 - 2 - 2 clk min.
3 - 3 - 3 clk min.
3 - 3 - 3 clk min.
3 - 3 - 3 clk min.
3 - 3 - 3 clk min.
143 MHz max.
125 MHz max.
100 MHz max.
67 MHz max.
10 ns min.
12 ns min.
15 ns min.
20 ns min.
7 ns min.
8 ns min.
10 ns min.
15 ns min.
6 ns max.
6 ns max.
6 ns max.
6 ns max.
6 ns max.
6 ns max.
6 ns max.
6 ns max.
170 mA max.
150 mA max.
125 mA max.
105 mA max.
2 mA max.(std version) / 1 mA max.(L,LL version)
2 mA max.(std. version) / 0.5 mA max.(L version) / 0.1mA max.(@45°C LL version)
MB81F643242B
Operating Current
Power Down Mode Current (I
CC2P
)
Self Refresh Current (I
CC6
)
•
•
•
•
•
Single +3.3 V Supply ±0.3 V tolerance
LVTTL compatible I/O interface
4 K refresh cycles every 64 ms
Four bank operation
Burst read/write operation and burst
read/single write operation capability
• Programmable burst type, burst length, and
CAS latency
• Auto-and Self-refresh (every 15.6
µs)
• CKE power down mode
• Output Enable and Input Data Mask

MB81F643242B-70LFN相似产品对比

MB81F643242B-70LFN MB81F643242B-80LLFN MB81F643242B-80LFN MB81F643242B-80FN MB81F643242B-10LLFN MB81F643242B-70LLFN
描述 2MX32 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 2MX32 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 2MX32 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 2MX32 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
包装说明 TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 86 86 86 86 86 86
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2MX32 2MX32 2MX32 2MX32 2MX32 2MX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
Objectid 1491416331 1491416364 - 1491416349 1491416310 -
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 - TSOP2 TSOP2 -
针数 86 86 - 86 86 -

推荐资源

晶闸管SMC无触点减压起动电路

STK085-105功率放大器电路图

IL型600V三端双向可控硅驱动光耦合电路

采用功率MOSFET的充电电路图

2位BCD输入电路

单片机温度测量电路

赛车用高能点火线圈
各位大师，有谁知道国内做高能点火线圈做的好的厂家，指导一下，谢谢！...
知易行难 汽车电子
【求助】程序循环
请问各位大侠： MAIN程序中st; goto st;循环什么时候用比较合适 谢谢...
ji123yun 微控制器 MCU
有关嵌入式项目的价钱问题, 相信大家都有兴趣知道
请各位有经验的兄弟说一说, 写一个单片机上运行的程序, 工作量大约是两个有两年经验的人做两个星期左右, 如果是以公司的名义卖的话, 一般市价是收多少钱?如果以私人的名义接回来做,又是大约能卖 ......
godzh 嵌入式系统
BB Black想收一块BBB板子，有朋友吃灰想出的吗？（已收）
本帖最后由 ou513 于 2014-5-23 13:51 编辑 BB Black想收一块BBB板子，有朋友吃灰想出的吗？价格你说个数，合意就收了 ...
ou513 淘e淘
FAQ_BlueNRG-12中如何决定输出PWM信号的相位
本文作者：ST工程师Weisheng CHEN 点击下载pdf文档查看：445243 关键词：BlueNRG-1/2, PWM, 波形翻转 问题：当使用BlueNRG-1/2中的MFT模块输出PWM信号是如何决定其初始相位？ ......
nmg 意法半导体-低功耗射频
浅析μCOSII v2.85+uCOSII V2.85的源代码及原理
来源：http:.//gliethttp.cublog.cn 28879 28880 28881...
clark 实时操作系统RTOS
器件捷径:   L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

  1. ATS-10G-200-C2-R0
  2. 2200CA3F004B2HB
  3. ESMM451VSN471MA50S
  4. 1SP0635D2S0-33
  5. SOT-DIV23LF-03-3602-2700-BB
  6. SMW4532B102HTE
  7. DCH12WGW
  8. XCTN26296502B
  9. 1N5256A_R2_10001
  10. BZT52-C20
  11. S5AT/R7
  12. B3961CW-4P-G

开源项目推荐更多

  1. 使用 MaxLinear, Inc 的 SPX385AS-1.2/TR 的参考设计
  2. ADR3425 2.5V 输出微功率、高精度电压基准的典型应用
  3. LV58082MX降压型开关稳压器的典型应用
  4. ADP1720-EP 50mA高压微功率线性稳压器5.0V固定输出电压典型应用电路
  5. MC33074ADTBR2G 基本同相放大器典型应用
  6. AM1G-4809DH30Z ±9V 1 瓦 DC/DC 转换器的典型应用
  7. 用于电池充电器的 5.2V DC 至 DC 单路输出电源
  8. A4447 高压降压稳压器的典型应用
  9. 使用 MaxLinear, Inc 的 SPX385AM1-1.2 的参考设计
  10. 使用 Analog Devices 的 LT3091HT7 的参考设计

热门活动更多

  1. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  2. 免费申请：ADI 超低功耗3 轴 MEMS 加速计ADXL362Z评估板（价值386元）
  3. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  4. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  5. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  6. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  7. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  8. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  9. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  10. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验

热门文章更多

  1. 法院裁定准许歌尔股份撤回对敏芯股份侵权诉讼
  2. 浅析面粉加工厂料位开关的选型
  3. STM32的RS485通信
  4. atmega8 例程：T1定时器 CTC模式 方波输出
  5. 51单片机入门 - 模拟PWM调制控制实验
  6. 负离子测试仪的应用/原理/特点/参数
  7. 100％自主指令集！国产龙芯CPU今年适配409款产品

技术资料推荐更多

  1. 电解电容器的应用条件与寿命的关系
  2. 重要Designing Stable Control Loops
  3. 低压大电流开关电源的设计
  4. BEV_ Motor, DriveLine, and Brake Subsystems
  5. KMP字符串匹配算法源码与详解
  6. 一种反激式变换器的无损耗缓冲电路
  7. RTOS从入门到精通（课件）
  8. 关于变压器带倍压整流负载时升压比变化问题的小结
  9. 高精度线性锂电池充电控制电路
  10. 有源箝位正激变换器稳态分析与小信号特性_陈道炼

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1195  2820  2261  991  2325  8  39  56  23  11 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved