Flash, 16MX16, 100ns, PBGA64, FBGA-64
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
包装说明 | FBGA-64 |
Reach Compliance Code | compliant |
最长访问时间 | 100 ns |
命令用户界面 | YES |
通用闪存接口 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B64 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 13 mm |
内存密度 | 268435456 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 256 |
端子数量 | 64 |
字数 | 16777216 words |
字数代码 | 16000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 16MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装等效代码 | BGA64,8X8,40 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
页面大小 | 16 words |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 3/3.3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1.4 mm |
部门规模 | 64K |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 11 mm |
S29GL256S10FHIV13 | S29GL256S10FHIV23 | S29GL512S12DHVV10 | |
---|---|---|---|
描述 | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA64, FBGA-64 | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA64, FBGA-64 | Flash, 32MX16, 120ns, PBGA64, BGA-64 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
包装说明 | FBGA-64 | FBGA-64 | BGA-64 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compli |
最长访问时间 | 100 ns | 100 ns | 120 ns |
命令用户界面 | YES | YES | YES |
通用闪存接口 | YES | YES | YES |
数据轮询 | YES | YES | YES |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B64 | R-PBGA-B64 | S-PBGA-B64 |
长度 | 13 mm | 13 mm | 9 mm |
内存密度 | 268435456 bit | 268435456 bit | 536870912 bi |
内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | FLASH |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
部门数/规模 | 256 | 256 | 512 |
端子数量 | 64 | 64 | 64 |
字数 | 16777216 words | 16777216 words | 33554432 words |
字数代码 | 16000000 | 16000000 | 32000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 105 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 16MX16 | 16MX16 | 32MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA | LBGA | LBGA |
封装等效代码 | BGA64,8X8,40 | BGA64,8X8,40 | BGA64,8X8,40 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
页面大小 | 16 words | 16 words | 16 words |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 1.8/3.3,3/3.3 V |
编程电压 | 3 V | 3 V | 2.7 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES | YES | YES |
座面最大高度 | 1.4 mm | 1.4 mm | 1.4 mm |
部门规模 | 64K | 64K | 64K |
最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0002 A |
最大压摆率 | 0.08 mA | 0.08 mA | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
切换位 | YES | YES | YES |
类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE |
宽度 | 11 mm | 11 mm | 9 mm |
JESD-609代码 | e1 | e1 | - |
湿度敏感等级 | 3 | 3 | - |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | - |
端子面层 | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | - |
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