5962R102033QXC,5962R102033QXC pdf中文资料,5962R102033QXC引脚图,5962R102033QXC电路-Datasheet-电子工程世界

5962R102033QXC: 产品描述SRAM Module, 2MX32, CMOS, CQFP132, 0.900 X 0.900 INCH, SIDEBRAZED, CERAMIC, QFP-132; 产品类别存储存储; 文件大小219KB，共27页; 制造商Cobham PLC

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5962R102033QXC概述

SRAM Module, 2MX32, CMOS, CQFP132, 0.900 X 0.900 INCH, SIDEBRAZED, CERAMIC, QFP-132

参数名称	属性值
厂商名称	Cobham PLC
零件包装代码	QFP
包装说明	QFP,
针数	132
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
其他特性	ALSO OPERATES WITH 2.3V TO 3.6V SUPPLY
JESD-30 代码	S-CQFP-G132
JESD-609代码	e4
长度	22.86 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	132
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	105 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2MX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFP
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	7.87 mm
最大供电电压 (Vsup)	2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.85 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	GOLD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.635 mm
端子位置	QUAD
总剂量	100k Rad(Si) V
宽度	22.86 mm

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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