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M29W128GL60ZS6E

产品描述Flash, 8MX16, 60ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LBGA-64
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共94页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
标准  
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M29W128GL60ZS6E概述

Flash, 8MX16, 60ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LBGA-64

M29W128GL60ZS6E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码BGA
包装说明11 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LBGA-64
针数64
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间60 ns
备用内存宽度8
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B64
长度13 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模128
端子数量64
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA64,8X8,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
页面大小8/16 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.4 mm
部门规模128K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度11 mm
最长写入周期时间 (tWC)0.00006 ms

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