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OPA1S2384IDRCT: 产品描述250-MHz, CMOS Transimpedance Amplifier (TIA) with Integrated Switch and Buffer 10-VSON -40 to 85; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小2MB，共24页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准; 相似器件已查找到3个与OPA1S2384IDRCT功能相似器件

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OPA1S2384IDRCT概述

250-MHz, CMOS Transimpedance Amplifier (TIA) with Integrated Switch and Buffer 10-VSON -40 to 85

OPA1S2384IDRCT规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SON
包装说明	HVSON,
针数	10
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.00005 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.00005 µA
最小共模抑制比	50 dB
标称共模抑制比	68 dB
频率补偿	YES
最大输入失调电流 (IIO)	0.00005 µA
最大输入失调电压	8000 µV
JESD-30 代码	S-PDSO-N10
JESD-609代码	e4
长度	3 mm
低-偏置	YES
低-失调	NO
微功率	NO
湿度敏感等级	2
功能数量	2
端子数量	10
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法	TR
峰值回流温度（摄氏度）	260
功率	NO
可编程功率	NO
座面最大高度	1 mm
标称压摆率	110 V/us
最大压摆率	24 mA
供电电压上限	6 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	100000 kHz
最小电压增益	15848.931
宽带	YES
宽度	3 mm
Base Number Matches	1

OPA1S2384IDRCT相似产品对比

	OPA1S2384IDRCT	OPA1S2384IDRCR	OPA1S2385IDRCR	OPA1S2385IDRCT
描述	250-MHz, CMOS Transimpedance Amplifier (TIA) with Integrated Switch and Buffer 10-VSON -40 to 85	250-MHz, CMOS Transimpedance Amplifier (TIA) with Integrated Switch and Buffer 10-VSON -40 to 85	250-MHz, CMOS Transimpedance Amplifier (TIA) with Integrated Switch and Buffer 10-VSON -40 to 85	250-MHz, CMOS Transimpedance Amplifier (TIA) with Integrated Switch and Buffer 10-VSON -40 to 85
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	SON	SON	SON	SON
包装说明	HVSON,	SON-10	SON-10	VSON, SOLCC10,.11,20
针数	10	10	10	10
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks	12 weeks	12 weeks	6 weeks
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.00005 µA	0.00005 µA	0.00005 µA	0.00005 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.00005 µA	0.00005 µA	0.00005 µA	0.00005 µA
最小共模抑制比	50 dB	50 dB	50 dB	50 dB
标称共模抑制比	68 dB	68 dB	68 dB	68 dB
频率补偿	YES	YES	YES	YES
最大输入失调电流 (IIO)	0.00005 µA	0.00005 µA	0.00005 µA	0.00005 µA
最大输入失调电压	8000 µV	8000 µV	8000 µV	8000 µV
JESD-30 代码	S-PDSO-N10	S-PDSO-N10	S-PDSO-N10	S-PDSO-N10
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4
长度	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm
低-偏置	YES	YES	YES	YES
低-失调	NO	NO	NO	NO
微功率	NO	NO	NO	NO
湿度敏感等级	2	2	2	2
功能数量	2	2	2	2
端子数量	10	10	10	10
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON	HVSON	HVSON	VSON
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法	TR	TR	TR	TR
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
功率	NO	NO	NO	NO
可编程功率	NO	NO	NO	NO
座面最大高度	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
标称压摆率	110 V/us	110 V/us	110 V/us	110 V/us
最大压摆率	24 mA	24 mA	24 mA	24 mA
供电电压上限	6 V	6 V	6 V	6 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	100000 kHz	100000 kHz	100000 kHz	100000 kHz
最小电压增益	15848.931	15848.931	15848.931	15848.931
宽带	YES	YES	YES	YES
宽度	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm
Base Number Matches	1	1	1	-
厂商名称	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)

与OPA1S2384IDRCT功能相似器件

器件名	厂商	描述
OPA1S2384IDRCR	Texas Instruments(德州仪器)	250-MHz, CMOS Transimpedance Amplifier (TIA) with Integrated Switch and Buffer 10-VSON -40 to 85
OPA1S2385IDRCR	Texas Instruments(德州仪器)	250-MHz, CMOS Transimpedance Amplifier (TIA) with Integrated Switch and Buffer 10-VSON -40 to 85
OPA1S2385IDRCT	Texas Instruments(德州仪器)	250-MHz, CMOS Transimpedance Amplifier (TIA) with Integrated Switch and Buffer 10-VSON -40 to 85

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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