TM4257EQ5-15L概述

256KX5 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA24, 2.700 X 0.450 INCH, SIMM-24

TM4257EQ5-15L规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	SIMM
包装说明	, SIP24,.2
针数	24
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	NIBBLE
最长访问时间	150 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XSMA-T24
内存密度	1310720 bit
内存集成电路类型	DRAM MODULE
内存宽度	5
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX5
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP24,.2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	256
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	NMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

TM4257EQ5-15L相似产品对比

	TM4257EQ5-15L	TM4257EQ5-20L	TM4256EQ5-12L	TM4256EQ5-15L	TM4256EQ5-20L	TM4257EQ5-12L
描述	256KX5 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA24, 2.700 X 0.450 INCH, SIMM-24	256KX5 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA24, 2.700 X 0.450 INCH, SIMM-24	256KX5 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA24, 2.700 X 0.450 INCH, SIMM-24	256KX5 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA24, 2.700 X 0.450 INCH, SIMM-24	256KX5 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA24, 2.700 X 0.450 INCH, SIMM-24	256KX5 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA24, 2.700 X 0.450 INCH, SIMM-24
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
包装说明	, SIP24,.2	, SIP24,.2	, SIP24,.2	, SIP24,.2	, SIP24,.2	, SIP24,.2
针数	24	24	24	24	24	24
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	NIBBLE	NIBBLE	PAGE	PAGE	PAGE	NIBBLE
最长访问时间	150 ns	200 ns	120 ns	150 ns	200 ns	120 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XSMA-T24	R-XSMA-T24	R-XSMA-T24	R-XSMA-T24	R-XSMA-T24	R-XSMA-T24
内存密度	1310720 bit	1310720 bit	1310720 bit	1310720 bit	1310720 bit	1310720 bit
内存集成电路类型	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE	DRAM MODULE
内存宽度	5	5	5	5	5	5
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24	24	24
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX5	256KX5	256KX5	256KX5	256KX5	256KX5
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP24,.2	SIP24,.2	SIP24,.2	SIP24,.2	SIP24,.2	SIP24,.2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	256	256	256	256	256	256
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)

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