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SB1100T26R

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小44KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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SB1100T26R概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41

SB1100T26R规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散1.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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SB120-SB1100
SB120 - SB1100
Features
1.0 ampere operation at T
A
= 75°C
with no thermal runaway.
For use in low voltage, high frequency
inverters free wheeling, and polarity
protection applications.
DO-41
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Schottky Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
stg
T
J
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
120
Maximum Repetitive Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
.375 " lead length @ T
A
= 75°C
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
20
130
30
140
40
Value
150
50
1.0
30
-65 to +125
-65 to +125
160
60
180
80
1100
100
Units
V
A
A
°C
°C
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJA
Parameter
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Value
1.25
80
Units
W
°C/W
Electrical Characteristics
Symbol
V
F
I
R
I
rr
C
T
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
120 130
Forward Voltage @ 1.0 A
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
Maximum Full Load Reverse Current, Full Cycle
T
A
= 75°C
Total Capacitance
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz
Reverse Current @ rated V
R
500
140
Device
150
0.5
10
30
110
160
180 1100
850
700
Units
mV
mA
mA
mA
pF
2001
Fairchild Semiconductor Corporation
SB120-SB1100, Rev. C
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