IC 512K X 32 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO70, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-70, Dynamic RAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, |
| 针数 | 70 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 60 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J70 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 28.57 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 70 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 座面最大高度 | 3.7 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm |
| TC5118320BJ-60 | QFN23401DKAGHWS | TC5118320BFT-60 | TC5118320BJ-70 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC 512K X 32 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO70, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-70, Dynamic RAM | Fixed Resistor, Thin Film, 0.025W, 23400ohm, 100V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 0202, | IC 512K X 32 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO70, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-70, Dynamic RAM | IC 512K X 32 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO70, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-70, Dynamic RAM |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 端子数量 | 70 | 2 | 70 | 70 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 125 °C | 70 °C | 70 °C |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMT | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE |
| 技术 | CMOS | THIN FILM | CMOS | CMOS |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) | - | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | SOJ | - | TSOP | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, | - | TSOP2, | SOJ, |
| 针数 | 70 | - | 70 | 70 |
| 访问模式 | FAST PAGE | - | FAST PAGE | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 60 ns | - | 60 ns | 70 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | - | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J70 | - | R-PDSO-G70 | R-PDSO-J70 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 |
| 长度 | 28.57 mm | - | 23.49 mm | 28.57 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit | - | 16777216 bit | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM | - | FAST PAGE DRAM | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度 | 32 | - | 32 | 32 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 字数 | 524288 words | - | 524288 words | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 | - | 512000 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 512KX32 | - | 512KX32 | 512KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ | - | TSOP2 | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 | - | 1024 | 1024 |
| 座面最大高度 | 3.7 mm | - | 1.2 mm | 3.7 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | - | GULL WING | J BEND |
| 端子节距 | 0.8 mm | - | 0.65 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm | - | 10.16 mm | 10.16 mm |
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