Flash, 4MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2, TSOP40/44,.46,32 |
针数 | 44 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 35 ns |
其他特性 | HARDWARE DATA PROTECTION; 1M PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION 10 YEARS; BLOCK ERASE |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | NO |
数据保留时间-最小值 | 10 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 18.41 mm |
内存密度 | 33554432 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 512 |
端子数量 | 40 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 4MX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSOP40/44,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
页面大小 | 512 words |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1.2 mm |
部门规模 | 8K |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | NO |
宽度 | 10.16 mm |
KM29N32000IT | KM29N32000T | |
---|---|---|
描述 | Flash, 4MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40 | Flash, 4MX8, 35ns, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44/40 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | TSOP2 | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2, TSOP40/44,.46,32 | TSOP2, TSOP40/44,.46,32 |
针数 | 44 | 44 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 35 ns | 35 ns |
其他特性 | HARDWARE DATA PROTECTION; 1M PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION 10 YEARS; BLOCK ERASE | HARDWARE DATA PROTECTION; 1M PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION 10 YEARS; BLOCK ERASE |
命令用户界面 | YES | YES |
数据轮询 | NO | NO |
数据保留时间-最小值 | 10 | 10 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G40 | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
长度 | 18.41 mm | 18.41 mm |
内存密度 | 33554432 bit | 33554432 bit |
内存集成电路类型 | FLASH | FLASH |
内存宽度 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 |
部门数/规模 | 512 | 512 |
端子数量 | 40 | 40 |
字数 | 4194304 words | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 | 4000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 70 °C |
组织 | 4MX8 | 4MX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSOP40/44,.46,32 | TSOP40/44,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
页面大小 | 512 words | 512 words |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V |
编程电压 | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES | YES |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
部门规模 | 8K | 8K |
最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.04 mA | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
切换位 | NO | NO |
宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved