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MT45W4MW16BBB-858WT

产品描述Pseudo Static RAM, 4MX16, 85ns, CMOS, PBGA54, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-54
产品类别存储    存储   
文件大小970KB,共61页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT45W4MW16BBB-858WT概述

Pseudo Static RAM, 4MX16, 85ns, CMOS, PBGA54, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-54

MT45W4MW16BBB-858WT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA54,6X9,30
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间85 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE POSSIBLE
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B54
JESD-609代码e1
长度8 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型PSEUDO STATIC RAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
组织4MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA54,6X9,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8,1.8/3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大待机电流0.00012 A
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度6 mm
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