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KM424C257Z-10

产品描述Video DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28
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文件大小1MB,共33页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM424C257Z-10概述

Video DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28

KM424C257Z-10规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码ZIP
包装说明ZIP, ZIP28,.1
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT
JESD-30 代码R-PZIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型VIDEO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量2
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP28,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度10.16 mm
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2.96 mm

KM424C257Z-10相似产品对比

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描述 Video DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-28 Video DRAM, 256KX4, 60ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP2-28 Video DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP2-28 Video DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Video DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP2-28
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 ZIP TSOP TSOP SOJ TSOP
包装说明 ZIP, ZIP28,.1 TSOP2, TSOP28,.46 TSOP2, TSOP28,.46 SOJ, SOJ28,.44 TSOP2, TSOP28,.46
针数 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 100 ns 60 ns 100 ns 100 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT
JESD-30 代码 R-PZIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-J28 R-PDSO-G28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 VIDEO DRAM VIDEO DRAM VIDEO DRAM VIDEO DRAM VIDEO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2 2
端子数量 28 28 28 28 28
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 ZIP TSOP2 TSOP2 SOJ TSOP2
封装等效代码 ZIP28,.1 TSOP28,.46 TSOP28,.46 SOJ28,.44 TSOP28,.46
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512
座面最大高度 10.16 mm 1.2 mm 1.2 mm 3.76 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A
最大压摆率 0.14 mA 0.17 mA 0.14 mA 0.14 mA 0.15 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING J BEND GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 ZIG-ZAG DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 2.96 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
长度 - 18.41 mm 18.41 mm 18.42 mm 18.41 mm

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