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SDF044JABXGSZ

产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共1页
制造商Solitron Devices Inc
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SDF044JABXGSZ概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN

SDF044JABXGSZ规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Solitron Devices Inc
零件包装代码TO-254Z
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.04 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-MSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)210 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)205 ns
最大开启时间(吨)242 ns
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