MT3LST3264G-66,MT3LST3264G-66 pdf中文资料,MT3LST3264G-66引脚图,MT3LST3264G-66电路-Datasheet-电子工程世界

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MT3LST3264G-66: 产品描述Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 7ns, CMOS; 产品类别存储存储; 文件大小314KB，共8页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT3LST3264G-66概述

Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 7ns, CMOS

MT3LST3264G-66规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Micron Technology
包装说明	DIMM, DIMM160
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	7 ns
其他特性	32K X 8 TAG
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N160
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	160
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX64
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM160
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.013 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.57 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

MT3LST3264G-66相似产品对比

	MT3LST3264G-66	MT3LST6464PG-66	MT3LST6464PG-75	MT3LST6464G-66	MT3LST3264PG-66	MT3LST3264PG-75
描述	Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 7ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 7ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 7ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 7ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 7ns, CMOS	Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 7ns, CMOS
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
包装说明	DIMM, DIMM160	DIMM, DIMM160	DIMM, DIMM160	DIMM, DIMM160	DIMM, DIMM160	DIMM, DIMM160
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns
其他特性	32K X 8 TAG	32K X 8 TAG	32K X 8 TAG	32K X 8 TAG	32K X 8 TAG	32K X 8 TAG
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160
内存密度	2097152 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	160	160	160	160	160	160
字数	32768 words	65536 words	65536 words	65536 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	64000	64000	64000	32000	32000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX64	64KX64	64KX64	64KX64	32KX64	32KX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM160	DIMM160	DIMM160	DIMM160	DIMM160	DIMM160
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.013 A	0.013 A	0.013 A	0.013 A	0.013 A	0.013 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.57 mA	0.585 mA	0.625 mA	0.57 mA	0.585 mA	0.625 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
最大时钟频率 (fCLK)	-	66 MHz	75 MHz	-	66 MHz	75 MHz

MT3LST3264G-66

MT3LST3264G-66概述

MT3LST3264G-66规格参数

MT3LST3264G-66相似产品对比

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