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IRHF57130

产品描述Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小180KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRHF57130概述

Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN

IRHF57130规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)173 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)11.7 A
最大漏极电流 (ID)11.7 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)47 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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PD-93789F
RADIATION HARDENED
POWER MOSFET
THRU-HOLE (TO-39)
Product Summary
Part Number
IRHF57130
IRHF53130
IRHF54130
IRHF58130
Radiation Level
100K Rads (Si)
300K Rads (Si)
500K Rads (Si)
1000K Rads (Si)
R
DS(on)
0.08Ω
0.08Ω
0.08Ω
0.10Ω
I
D
11.7A
11.7A
11.7A
QPL Part Number
JANSR2N7493T2
JANSF2N7493T2
JANSG2N7493T2
IRHF57130
JANSR2N7493T2
100V, N-CHANNEL
REF: MIL-PRF-19500/701
5

TECHNOLOGY
™
11.7A JANSH2N7493T2
TO-39
International Rectifier’s R5
TM
technology provides
high performance power MOSFETs for space
applications. These devices have been characterized
for Single Event Effects (SEE) with useful performance
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm
2
)). The combination
of low R
DS(on)
and low gate charge reduces the
power losses in switching applications such as DC
to DC converters and motor control. These devices
retain all of the well established advantages of
MOSFETs such as voltage control, fast switching,
ease of paralleling and temperature stability of
electrical parameters.
Features:
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened
Ultra Low R
DS(on)
Identical Pre- & Post-Electrical Test Conditions
Repetitive Avalanche Ratings
Dynamic dv/dt Ratings
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ VGS = 12V, TC = 25°C
ID @ VGS = 12V, TC = 100°C
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
T STG
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
À
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Á
Avalanche Current
À
Repetitive Avalanche Energy
À
Peak Diode Recovery dv/dt
Â
Operating Junction
Storage Temperature Range
Lead Temperature
Weight
For footnotes refer to the last page
11.7
7.4
47
25
0.2
±20
173
11.7
2.5
4.9
-55 to 150
Pre-Irradiation
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
o
C
300 (0.063 in./1.6mm from case for 10s)
0.98 (Typical)
g
www.irf.com
1
10/27/11

IRHF57130相似产品对比

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描述 Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 符合 符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant compliant compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 173 mJ 173 mJ 173 mJ 173 mJ 173 mJ 173 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 11.7 A 11.7 A 11.7 A 11.7 A 11.7 A 11.7 A
最大漏源导通电阻 0.08 Ω 0.08 Ω 0.08 Ω 0.08 Ω 0.08 Ω 0.08 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-205AF TO-205AF TO-205AF TO-205AF TO-205AF TO-205AF
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 47 A 47 A 47 A 47 A 47 A 47 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 40 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Infineon(英飞凌) - - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
最大漏极电流 (Abs) (ID) 11.7 A 11.7 A 11.7 A - - 11.7 A
JESD-609代码 e0 e0 e0 - - e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C - - 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 25 W 25 W 25 W - - 25 W
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb)
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