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UPA863TD-T3

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小143KB,共28页
制造商NEC(日电)
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UPA863TD-T3概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

UPA863TD-T3规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PDSO-F6
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL

UPA863TD-T3相似产品对比

UPA863TD-T3 UPA863TD-T3FB-A UPA863TD-T3FB UPA863TD-FB UPA863TD-FB-A
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code unknown compliant compliant compliant compliant
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6
端子数量 6 6 6 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 NEC(日电) - - NEC(日电) NEC(日电)
是否Rohs认证 - 符合 不符合 不符合 符合
最大集电极电流 (IC) - 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A
基于收集器的最大容量 - 0.7 pF 0.7 pF 0.7 pF 0.7 pF
集电极-发射极最大电压 - 3 V 3 V 3 V 3 V
配置 - SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带 - L BAND L BAND L BAND L BAND
JESD-609代码 - e6 e0 e0 e6
元件数量 - 2 2 2 2
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 - NPN NPN NPN NPN
端子面层 - TIN BISMUTH TIN LEAD TIN LEAD TIN BISMUTH
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 10
晶体管应用 - AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 12000 MHz 12000 MHz 12000 MHz 12000 MHz
Base Number Matches - 1 1 1 -

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