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UPA863TD-T3FB: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小143KB，共28页; 制造商NEC(日电)

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UPA863TD-T3FB概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

UPA863TD-T3FB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code	compliant
最大集电极电流 (IC)	0.03 A
基于收集器的最大容量	0.7 pF
集电极-发射极最大电压	3 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带	L BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-F6
JESD-609代码	e0
元件数量	2
端子数量	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	12000 MHz
Base Number Matches	1

UPA863TD-T3FB相似产品对比

	UPA863TD-T3FB	UPA863TD-T3FB-A	UPA863TD-FB	UPA863TD-T3	UPA863TD-FB-A
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6	RF Small Signal Bipolar Transistor, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
包装说明	LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	unknown	compliant
JESD-30 代码	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6
端子数量	6	6	6	6	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	-	符合
最大集电极电流 (IC)	0.03 A	0.03 A	0.03 A	-	0.03 A
基于收集器的最大容量	0.7 pF	0.7 pF	0.7 pF	-	0.7 pF
集电极-发射极最大电压	3 V	3 V	3 V	-	3 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	-	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带	L BAND	L BAND	L BAND	-	L BAND
JESD-609代码	e0	e6	e0	-	e6
元件数量	2	2	2	-	2
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	260
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	-	NPN
端子面层	TIN LEAD	TIN BISMUTH	TIN LEAD	-	TIN BISMUTH
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	10
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON
标称过渡频率 (fT)	12000 MHz	12000 MHz	12000 MHz	-	12000 MHz
Base Number Matches	1	1	1	-	-
厂商名称	-	-	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)

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