Flash, 512KX8, 90ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Winbond(华邦电子) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 90 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 |
| 长度 | 41.91 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.33 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| W29C040-90Z | W29C040P-90Z | W29C040-90 | W29C040P-70K | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Flash, 512KX8, 90ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | Flash, 512KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | Flash, 512KX8, 90ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | Flash, 512KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | QFJ | DIP | QFJ |
| 包装说明 | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | PLASTIC, LCC-32 | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | PLASTIC, LCC-32 |
| 针数 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | compliant | compli | not_compliant | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 90 ns | 70 ns | 90 ns | 70 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 | R-PQCC-J32 | R-PDIP-T32 | R-PQCC-J32 |
| 长度 | 41.91 mm | 13.97 mm | 41.91 mm | 13.97 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bi | 4194304 bit | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 85 °C |
| 组织 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | QCCJ | DIP | QCCJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 245 | NOT SPECIFIED | 225 |
| 编程电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.33 mm | 3.56 mm | 5.33 mm | 3.56 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | THROUGH-HOLE | J BEND |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 40 | NOT SPECIFIED | 30 |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE |
| 宽度 | 15.24 mm | 11.43 mm | 15.24 mm | 11.43 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms | 10 ms | 10 ms |
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