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HB66C6464BA-12

产品描述Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 12ns, MOS
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文件大小353KB,共13页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB66C6464BA-12概述

Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 12ns, MOS

HB66C6464BA-12规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
其他特性32K X 8 TAG
JESD-30 代码R-XDMA-N160
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量160
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX64
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.1 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

HB66C6464BA-12相似产品对比

HB66C6464BA-12 HB66C6464BA-8
描述 Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 12ns, MOS Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 8ns, MOS
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 12 ns 8 ns
其他特性 32K X 8 TAG 32K X 8 TAG
JESD-30 代码 R-XDMA-N160 R-XDMA-N160
内存密度 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 CACHE TAG SRAM MODULE CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度 64 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 160 160
字数 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 64KX64 64KX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3.1 V 3.1 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
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