Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 8ns, MOS
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 8 ns |
| 其他特性 | 32K X 8 TAG |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N160 |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE TAG SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 160 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX64 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.1 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| HB66C6464BA-8 | HB66C6464BA-12 | |
|---|---|---|
| 描述 | Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 8ns, MOS | Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 12ns, MOS |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 8 ns | 12 ns |
| 其他特性 | 32K X 8 TAG | 32K X 8 TAG |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N160 | R-XDMA-N160 |
| 内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE TAG SRAM MODULE | CACHE TAG SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 | 64 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 160 | 160 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64KX64 | 64KX64 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.1 V | 3.1 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | MOS | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
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