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71V2558SA100BGG8

产品描述ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119
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文件大小567KB,共28页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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71V2558SA100BGG8概述

ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119

71V2558SA100BGG8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间5 ns
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e1
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
端子数量119
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.25 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
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