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ZVP2120DWP

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.042 X 0.042 INCH, G17, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小32KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
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ZVP2120DWP概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.042 X 0.042 INCH, G17, DIE-2

ZVP2120DWP规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏源导通电阻25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-XUUC-N2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)235
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON

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