Small Signal Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.042 X 0.042 INCH, G17, DIE-2
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Diodes Incorporated |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏源导通电阻 | 25 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-XUUC-N2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度) | 235 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管元件材料 | SILICON |
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